TBM-IC-MARK V手持式表面污染測(cè)量儀  產(chǎn)品介紹：

TBM-IC-MARK V表面污染儀有2.5”（6.35cm）直徑×3.5”（8.9cm）長的空氣電離室與穩(wěn)態(tài)場(chǎng)效應(yīng)管電路以及A/D轉(zhuǎn)換讀出器相互配套，直接以mR/h 或 mR形式顯示，劑量率范圍：0.1 mR/h 到 9.999 R/h，劑量范圍：0.01mR - 99.9R與空氣等效的180 mg/cm石墨丙希酸脂電離室壁，超薄(0.5 mg/cm )聚脂薄膜窗口對(duì)底能量的β離子，比如C14，另外對(duì)高能量的β，γ和X-射線響應(yīng)。

TBM-IC-MARK V手持式表面污染測(cè)量儀  產(chǎn)品特點(diǎn)：

數(shù)字讀出器：8位計(jì)數(shù)，8位積分
劑量率和累加劑量
輕便26盎司（730g）
TBM包裝
平坦的空氣等效響應(yīng)
軸向探測(cè)到5 KEV的γ 或 X-射線
可檢測(cè)α，β，γ，X-射線
快速響應(yīng)

寬量程：0.1 mR/hr 到 9.999 R/hr

TBM-IC-MARK V手持式表面污染測(cè)量儀 技術(shù)參數(shù)：

探測(cè)器：空氣等價(jià)電離室2.5” 直徑 x 3.5” 長內(nèi)部體積260cc
探測(cè)窗：2.0” 直徑. x 0.5 mg/cm 聚酯薄膜.
讀出器：8位LCD顯示。
指示燈：綠色 LED 10 pulses/sec 每 mR/h
紅色超量程指示

電路：穩(wěn)定的固態(tài)MOSFET 輸入